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ZnO壓敏電阻器的限壓原理：

VSIOV= ZSIOV*VS(Zsource+ZSIOV)，其中VS為浪涌電壓，Zsourc為浪涌電壓源的阻抗，如傳輸線的電阻或線圈的電感等，ZSIOV

為ZnO壓敏電阻器在某電流下的電阻。浪涌電壓源的阻抗往往被低估，因浪涌電流包含許多KHz—MHz的交流成分，其阻抗比低頻時(shí)大得多。

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ZnO壓敏電阻器的結(jié)構(gòu)：

晶粒體為電阻率很低的半導(dǎo)體，晶界為絕緣體，類(lèi)似邊界層電容器，另在晶界形成兩背靠背的肖特基勢(shì)壘。因鄰近晶粒的取向不同，兩晶粒交界處結(jié)構(gòu)松弛，雜質(zhì)占據(jù)這些位置比占據(jù)體內(nèi)晶格位置的能量低，所以容易在晶界偏析。

源林電子是一家專(zhuān)業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)壓敏電阻的高科技電子元器件企業(yè)。主營(yíng)壓敏電阻、熱敏電阻和溫度傳感器，自有研發(fā)團(tuán)隊(duì)，廠家直銷(xiāo)！

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介電特性：

壓敏電阻器類(lèi)似一邊界層電容器，視在介電常數(shù)很高。介電常數(shù)和介電損耗與頻率，溫度和所加的電壓有關(guān)，在30-106°C的溫度范圍內(nèi)，介電常數(shù)隨溫度升高而增大；介電常數(shù)隨頻率升高而下降；電容在低電場(chǎng)區(qū)域隨所加電壓的增加而降低，進(jìn)入中電場(chǎng)區(qū)域隨電壓增大而急劇上升。

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